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        • 刻蝕是半導體器件制造中選擇性地移除沉積層特定部分的工藝。在半導體器件的整個制造過程中,刻蝕步驟多達上百個,是半導體制造中最常用的工藝之一。

          中微公司專注于研發干法刻蝕(等離子體刻蝕)設備,用于在晶圓上加工微觀結構。干法刻蝕通過等離子釋放帶正電的離子來撞擊晶圓以去除(刻蝕)材料。根據所要去除材料和加工器件結構的不同,可分為電介質刻蝕、導體刻蝕和硅通孔刻蝕。

          新電子材料的集成和加工器件尺寸的不斷縮小為刻蝕設備帶來了新的技術挑戰,同時對性能的要求(刻蝕均勻性、穩定性和可靠性)越來越高。中微公司憑借一系列刻蝕設備組合處于刻蝕創新技術的前沿,幫助芯片制造商加工10納米、7納米甚至5納米及更先進的微觀結構,同時極具成本優勢。

          中微公司自主研發生產的刻蝕設備已被眾多領先客戶的芯片生產線所采用,用于制造先進的半導體器件,以推動人工智能、機器學習和機器人技術的發展。這些半導體器件還能提供邏輯和存儲器,以應用于消費者電子產品、5G網絡、功能強大的服務器、自動駕駛汽車、智能電網等領域。

        • MOCVD全稱是Metal-Organic Chemical Vapour Deposition(金屬有機化學氣相沉積設備),是在基板上生長半導體薄膜的一種技術。利用MOCVD技術,許多納米層可以以極高的精度沉積,每一層都具有可控的厚度,以形成具有特定光學和電學特性的材料。MOCVD是用于LED芯片和功率器件制造的關鍵工藝技術。

          中微公司在MOCVD領域有非常深厚的技術積累。公司于2013年發布了第一代MOCVD設備 Prismo D-BLUE?,由于其較高的靈活性和生產效率、優異的性能以及簡便易行的設備維護,中微的MOCVD設備快速獲得了客戶的認可和信任。

          2016年,中微發布了其第二代MOCVD設備 Prismo A7?。在 Prismo D-BLUE的基礎上,Prismo A7增加了一些新的特征,以進一步提升生產效率和加工性能。該設備已應用于國內眾多領先的LED生產線。

          中微具有自主知識產權的MOCVD設備Prismo HiT3TM,是適用于高質量氮化鋁和高鋁組分材料生長的關鍵設備。

          在不到三年的時間里,中微已經在全球氮化鎵基LED MOCVD設備市場占據領先地位。

        • 現在的制造生產線上應確保不出現任何疏漏。這適用于設備、工藝、專業技能和其他所有能夠使制造流程的效率最大化并控制成本的要素。確保生產車間內的空氣清潔、健康且無有害顆粒也同樣重要。

          化學物和氣體也被稱為揮發性有機化合物(VOC),是許多工廠在制造生產過程中不可避免的。VOC在排氣過程中釋放后,在室溫下蒸發到空氣中,有些VOC是無害的,但有些VOC是有害的,特別是當它們與其他常見但不健康的空氣成分反應、且長時間被人體吸入的時候。

          這就是為什么適當的通風一直是現代制造工廠在設計時需要考慮的基本因素。先進的過濾技術和產品也被用于對工業環境中的空氣進一步消毒和優化。

          憑借在使用了復雜化學物和氣體的高端工藝設備領域的專業知識,中微在自主研發空氣過濾產品方面具有獨特的優勢,該產品符合嚴格的空氣質量標準。中微在國內率先開發制造了工業用大型VOC 凈化設備。

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