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        Prismo HiT3?

        用于深紫外LED外延片量產的MOCVD設備

        中微具有自主知識產權的MOCVD設備Prismo HiT3?,是適用于高質量氮化鋁和高鋁組分材料生長的關鍵設備,反應腔最高溫度可大達1400攝氏度,單爐可生長18片2英寸外延片,并可延申到4英寸晶片。 中微高溫MOCVD設備Prismo HiT3專為深紫外LED量產而設計,是目前業內紫外LED產能最高的高溫MOCVD設備之一。

        產品特點

        • 適用于高溫氮化鋁和深紫外 LED生長的關鍵設備
        • 優異均勻性和高效能相結合
        • 適合高晶體質量和高AIN生長速率的新穎腔體設計
        • 創新的實時監控系統
        • 工藝溫度最高可達1400度,具有優異的溫場均勻性和控制穩定性
        • 具有高穩定性、自動化的真空傳送系統,抑制顆粒的產生
        • 界面友好、全自動化的操作系統

        競爭優勢

        • 優異的工藝重復性和均勻性
        • 遵循半導體設計和制造的高標準流程
        • 低生產成本,簡便易行的設備維護
        • 業界領先的UVC LED產能及維護周期
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