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        Primo nanova?

        為 1X納米及以下邏輯和存儲器件刻蝕應用提供創新的解決方案

        Primo nanova?是中微基于電感耦合(ICP)技術研發的12英寸刻蝕設備。它可以配置多達六個刻蝕反應腔和兩個可選的除膠反應腔。其中刻蝕反應腔采用了軸對稱設計,具有高反應氣體通量。ICP發射天線采用了中微具有自主知識產權的低電容耦合3D線圈設計,可實現對離子濃度和離子能量的高度獨立控制。反應腔內部涂有高致密性、耐等離子體侵蝕材料,以獲得更高的工藝重復性和生產率。設備還采用了多區細分的高動態范圍溫控靜電吸盤,使加工出的集成電路器件的關鍵尺寸達到高度均勻性。Primo nanova適用于1X納米及以下的邏輯和存儲器件的刻蝕應用。

        產品特點

        • 軸對稱腔體設計
        • 低電容耦合3D線圈設計
        • 高抽速大容量渦輪泵
        • 精密的腔體溫控系統
        • 先進的高致密性、耐等離子體侵蝕涂層工藝
        • 多區細分的高動態范圍溫控靜電吸盤
        • 阻抗可調聚焦環設計
        • 切換式雙頻偏壓系統
        • 可選的集成除膠反應腔

        競爭優勢

        • 離子濃度和離子能量獨立可控
        • 高排氣量和更寬的工藝窗口
        • 超凡的刻蝕均勻性
        • 優異的高深寬比刻蝕性能
        • 高生產效率,低生產成本(CoO)
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