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        Primo SSC AD-RIE?

        為26到10納米芯片制造提供創新的刻蝕解決方案

        Primo SSC AD-RIE?是中微于2013年推出的單反應臺電介質刻蝕產品,在Primo AD-RIE?產品技術和Primo平臺概念的基礎上,通過在一個平臺上集成六個單反應臺以達到產能最大化。除了可獨立輸運氣體的單反應臺腔體設計以外,為應對2x納米以下特別是接觸孔刻蝕等關鍵制程的挑戰,該設備還具有以下特性:同步脈沖射頻系統、可冷卻聚焦環工藝組件和甚低壓氣體抽運系統等。Primo SSC AD-RIE有利于處理多層薄膜刻蝕的微負載問題、極端邊緣形貌問題以及接觸孔刻蝕的終端控制問題。Primo SSC AD-RIE已在主流客戶16納米芯片生產線上穩定量產。

        產品特點

        • 具有獨立氣體輸運系統的單反應臺腔體設計
        • 多區氣體調節以及雙區靜電吸盤溫度控制
        • 高抽氣率,大容量分子泵
        • 雙級同步脈沖射頻系統(低頻和高頻)
        • 可冷卻聚焦環工藝組件,提升晶圓邊緣性能
        • 高上下電極面積比,以應用于高深寬比結構刻蝕

        競爭優勢

        • 高電介質材料刻蝕速率,多手段刻蝕均勻度調節
        • 雙級同步脈沖射頻系統
        • 先進氣體抽運系統,以進一步擴大工藝窗口
        • 中高深寬比結構刻蝕的低成本解決方案
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