Primo AD-RIE?是中微第二代電介質刻蝕產品?；谝驯徽J可的Primo D-RIE?刻蝕設備，Primo AD-RIE應用了具有自主知識產權的新設計，配備了可切換雙低頻射頻源，優化了上電極氣流分布以及下電極溫控系統。為了使生產效率最大化，Primo AD-RIE系統同樣可以靈活地裝置多達三個雙反應臺反應腔（即六個反應臺）。Primo AD-RIE具備能夠滿足最新一代芯片器件制造需求的先進性能，目前已被廣泛應用于40到7納米后段制程以及10納米前段制程的開發和量產。此外，中微基于Primo AD-RIE開發了子系列產品Primo AD-RIE-e和Primo AD-RIE-cr。Primo AD-RIE-e配備了自主研發的四區動態靜電吸盤，每一制程步驟可獨立進行控溫，以達到更高的刻蝕均勻度和刻蝕選擇比。Primo AD-RIE-cr配備了擁有自主知識產權涂層技術的抗腐蝕反應腔，可應對電介質材料、金屬及金屬氧化物材料復雜結構的刻蝕要求。 2021年，中微公司推出了新一代8英寸甚高頻去耦合反應離子（CCP）刻蝕設備Primo AD-RIE 200??；谝驯粯I界廣泛認可的12英寸CCP刻蝕設備的成熟工藝與特性，Primo AD-RIE 200?在技術創新和生產效率方面都有了進一步提升，能夠滿足不同客戶8英寸晶圓的加工需求。為了提高生產效率，Primo AD-RIE 200?刻蝕設備可靈活配置多達三個雙反應臺反應腔（即六個反應臺）。此外，Primo AD-RIE 200?提供了可升級至12英寸刻蝕設備系統的靈活解決方案，以滿足客戶生產線未來可能擴產的需求。