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        Primo AD-RIE?

        為40到7納米芯片制造提供創新的刻蝕解決方案

        Primo AD-RIE?是中微第二代電介質刻蝕產品?;谝驯徽J可的Primo D-RIE?刻蝕設備,Primo AD-RIE應用了具有自主知識產權的新設計,配備了可切換雙低頻射頻源,優化了上電極氣流分布以及下電極溫控系統。為了使生產效率最大化,Primo AD-RIE系統同樣可以靈活地裝置多達三個雙反應臺反應腔(即六個反應臺)。Primo AD-RIE具備能夠滿足最新一代芯片器件制造需求的先進性能,目前已被廣泛應用于40到7納米后段制程以及10納米前段制程的開發和量產。此外,中微基于Primo AD-RIE開發了子系列產品Primo AD-RIE-e和Primo AD-RIE-cr。Primo AD-RIE-e配備了自主研發的四區動態靜電吸盤,每一制程步驟可獨立進行控溫,以達到更高的刻蝕均勻度和刻蝕選擇比。Primo AD-RIE-cr配備了擁有自主知識產權涂層技術的抗腐蝕反應腔,可應對電介質材料、金屬及金屬氧化物材料復雜結構的刻蝕要求。 2021年,中微公司推出了新一代8英寸甚高頻去耦合反應離子(CCP)刻蝕設備Primo AD-RIE 200??;谝驯粯I界廣泛認可的12英寸CCP刻蝕設備的成熟工藝與特性,Primo AD-RIE 200?在技術創新和生產效率方面都有了進一步提升,能夠滿足不同客戶8英寸晶圓的加工需求。為了提高生產效率,Primo AD-RIE 200?刻蝕設備可靈活配置多達三個雙反應臺反應腔(即六個反應臺)。此外,Primo AD-RIE 200?提供了可升級至12英寸刻蝕設備系統的靈活解決方案,以滿足客戶生產線未來可能擴產的需求。

        產品特點

        • 雙反應臺腔體設計具有更高的產出效率
        • 雙低頻功率切換系統,用于制程分步驟優化
        • 脈沖射頻系統選項
        • 多區氣體分配調節系統
        • 靜電吸盤雙區冷卻裝置
        • 低金屬污染工藝組件選項
        • 每一步驟可獨立進行控溫的四區動態靜電吸盤 (Primo AD-RIE-e)
        • 擁有自主知識產權涂層技術的抗腐蝕反應腔 (Primo AD-RIE-cr)
        • 一體整合的除膠能力及表面電荷減除能力 (Primo iDEA?系統)

        競爭優勢

        • 雙低頻率分步驟切換系統,以適用于更廣的制程范圍(特別是Trench/Via All-in-one制程)
        • 卓越的工藝可調性和穩定性,以滿足先進工藝標準
        • 高生產效率,低生產成本(CoO)
        • 擴展機型Primo AD-RIE-e, Primo AD-RIE-cr 和 Primo iDEA?,可應用于不同特殊制程
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