<rt id="b2qlx"><blockquote id="b2qlx"></blockquote></rt><sub id="b2qlx"></sub>

  • <wbr id="b2qlx"><pre id="b2qlx"><button id="b2qlx"></button></pre></wbr>
  • <sub id="b2qlx"><table id="b2qlx"></table></sub>
        <sub id="b2qlx"></sub>
      1. <sub id="b2qlx"><table id="b2qlx"></table></sub>
        logo
        logo
        x

        網站導覽

        產品圖片

        Primo D-RIE?

        為65到16納米芯片制造提供創新的刻蝕解決方案

        作為中微第一代電介質刻蝕產品,Primo D-RIE?是12英寸雙反應臺多反應腔主機系統,可靈活裝置多達三個雙反應臺反應腔(六個反應臺)。每個反應腔都可以在單晶圓反應環境下,同時加工兩片晶圓。該設備運用了中微具有自主知識產權的創新技術,包括甚高頻和低頻混合射頻去耦合反應等離子體源、等離子體隔離環、以及用于控制腔體內反應環境的先進工藝組件。Primo D-RIE刻蝕設備可用于加工包括氧化硅、氮化硅及低介電系數膜層等所有的電介質材料。Primo D-RIE于2007年發布之后,由于其較低的生產成本、較高的生產效率和卓越的芯片加工性能,該設備已在國際主流芯片生產線上投入量產。

        產品特點

        • 雙反應臺腔體設計具有 更高的產出效率
        • 雙反應臺獨立射頻系統和刻蝕終端控制系統
        • 擁有自主知識產權的射頻匹配系統
        • 擁有自主知識產權的等離子體隔離技術

        競爭優勢

        • 高生產效率,低生產成本(CoO)
        • 設備占地面積小
        • 一體整合的除膠能力及表面電荷減除能力(Primo iDEA?系統)
        在线A图观看,老司机一区二区,国产女人与黑人在线播放,欧美乱伦23p